1个N沟道 耐压:1.5kV 电流:2A
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品 牌：
RENESAS(瑞萨)/IDT
厂家型号：
2SK2225-E
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商品编号：
C37357
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封装：
TO-3PFM
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包装方式：
管装
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商品介绍
N沟道,1500V,2A,12Ω@15V
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 功率(Pd) | 50W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12Ω@15V,1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 984.7pF@30V |
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1500V（1.5kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 1A，15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：984.7pF @ 30V
功率 - 最大值：50W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装：TO-3PFM
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