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2SK2225-E

1个N沟道耐压:1500V 电流:2A

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描述: N沟道,1500V,2A,12Ω@15V
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 2SK2225-E
商品编号: C37357
商品封装: TO-3PFM
包装方式: 管装
商品毛重: 6.333克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1500V（1.5kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 1A，15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：984.7pF @ 30V
功率 - 最大值：50W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装：TO-3PFM

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	1.5kV
	连续漏极电流(Id)	2A
	导通电阻(RDS(on))	12Ω@15V
	耗散功率(Pd)	50W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@1mA
	输入电容(Ciss)	66pF
	反向传输电容(Crss)	60pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	125pF