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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR2181STRPBF

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描述
600V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
商品型号
IR2181STRPBF
商品编号
C37524
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.286克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.8A
属性参数值
拉电流(IOH)1.4A
工作电压10V~20V
上升时间(tr)40ns
下降时间(tf)20ns
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

IR2181(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V 逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT,最高可承受 600 伏电压。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作设计,在高达 +600V 时可完全正常工作,能耐受负瞬态电压,抗 dV/dt 干扰
  • 栅极驱动电源范围为 10 至 20V
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 兼容 3.3V 和 5V 输入逻辑
  • 双通道的传播延迟匹配
  • 逻辑地和功率地之间允许有 +/-5V 的偏移
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器,具备更好的抗噪性能
  • 输出源/灌电流能力为 1.4A/1.8A
  • 也提供无铅 (PbF) 版本

数据手册PDF