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SI2305CDS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:8V 电流:5.8A
- 描述
- P沟道,-8V,-5.8A,35mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2305CDS-T1-GE3
- 商品编号
- C37577
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 96pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- DC/DC转换器
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