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SI2305CDS-T1-GE3

1个P沟道耐压:8V 电流:5.8A

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描述: P沟道,-8V,-5.8A,35mΩ@-4.5V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI2305CDS-T1-GE3
商品编号: C37577
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.035克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.8A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：960pF @ 4V
功率 - 最大值：1.7W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	8V
	连续漏极电流(Id)	5.8A
	导通电阻(RDS(on))	65mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	1.7W
	阈值电压(Vgs(th))	1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	30nC@8V
	输入电容(Ciss)	96pF
	反向传输电容(Crss)	300pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	330pF