IRF740STRLPBF
1个N沟道 耐压:400V 电流:6.3A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
N沟道,400V,10A,550mΩ@10V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
IRF740STRLPBF商品编号
C39238商品封装
TO-263-2包装方式
编带
商品毛重
2克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 400V | |
连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,6.0A | |
功率(Pd) | 125W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 63nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.4nF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1400pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1400pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
1+¥5.8
10+¥5.67
30+¥5.58
100+¥5.2155¥5.49¥4392
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
366
江苏仓
0
SMT仓
386
购买数量(800个/圆盘,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个800个/圆盘
近期成交21单
精选推荐