温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTR4101PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR4101PT1G
- 商品编号
- C35920
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 730mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 低RDS(on)的-20 V先导沟槽
- -1.8 V额定电压用于低电压栅极驱动
- SOT-23表面贴装,占用空间小
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的NTRV前缀;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),且符合RoHS标准
应用领域
-便携式设备的负载/电源管理-计算机的负载/电源管理-充电电路和电池保护
- FFC连接线 10P 间距1.0mm 长10CM 同向
- 0805W8F3652T5E
- 0805W8F1652T5E
- MC7915BD2TR4G
- MC7815CD2TR4G
- SP3075EEN-L/TR
- TJA1041T/CM,118
- WJ2EDGVC-5.08-12P-14-00A
- WJ2EDGKB-5.08-12P-14-00A
- AT24CM01-SHD-T
- 1812B102K202NT
- PIC16C63A-04/so
- 1N5408 编带
- TOP227YN
- HK3FF-DC12V-SHG
- WJ129V-7.62-3P
- AT24C01C-SSHM-T
- WJ128V-7.5-03P-14-00A
- WJ142R-5.08-05P-14-00A
- 25121WJ0511T4E
- 2.54-2*6P母