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MMBF170LT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.5A
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- 描述
- 功率 MOSFET，500 mA，60 V，N 沟道，SOT?23
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBF170LT1G
- 商品编号
- C28871
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,200mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1.0mA | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 适用于汽车及其他需要独特现场和控制变更要求的应用的NVBF前缀；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
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