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AOD210
停产 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和反向传输电容CrSS组合，功率损耗降至最低。此外，采用“肖特基式”软恢复体二极管，可很好地控制开关行为。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD210
- 商品编号
- C28970
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AOD210采用了沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(on) 和 Crss 组合，功率损耗得以最小化。此外，“肖特基型”软恢复体二极管可很好地控制开关特性。