1个N沟道 耐压:60V 电流:4A 电流:12A
- 5+: ¥1.8484 / 个
- 50+: ¥1.5048 / 个
- 150+: ¥1.3575 / 个
- 500+: ¥1.1737 / 个
- 2500+: ¥0.9509 / 个 (折合1圆盘2377.25元)
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¥1.5048 / 个 |
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¥1.3575 / 个 |
500+: |
¥1.1737 / 个 |
2500+: |
¥0.9509 / 个 (折合1圆盘2377.25元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 4A;12A | |
功率(Pd) | 2.1W;20W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,12A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 540pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta),12A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 30V
功率 - 最大值:2.1W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)