温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

AO4406AL

1个N沟道耐压:30V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: N沟道,30V,13A,11.5mΩ@10V
品牌名称: AOS
商品型号: AO4406AL
商品编号: C35349
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.205克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：13A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：11.5 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：910pF @ 15V
功率 - 最大值：3.1W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交5单

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	11.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	-

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	17nC@10V
	输入电容(Ciss)	910pF@30V
	反向传输电容(Crss)	160pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	760pF