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AOD403
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- P沟道,-30V,-70A,8mΩ@-10V
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD403
- 商品编号
- C28969
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 470pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 585pF |
商品概述
AOD403/AOI403采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK/IPAK封装出色的热阻性能，该器件非常适合大电流负载应用。