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PJM3401PSC
P沟道,电流:4.5A,耐压:30V
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- 描述
- 特性：VDS = -30V，ID = -4.5A。 RDS(ON) = 60mΩ (max) @ -10V。 无卤和无锑。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM3401PSC
- 商品编号
- C2683748
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V；70mΩ@4.5V；90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
ST2341S23RG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合。该产品采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30V
- 漏极电流(ID) = -4.5A
- 导通电阻 [RDS(ON)] = 60 mΩ(最大值),栅源电压为 -10 V 时
- 无卤无锑
应用领域
- 负载开关及脉宽调制(PWM)应用
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