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TF2103M-TAH

半桥栅极驱动器

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描述: 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
品牌名称: TFSS(德律风根)
商品型号: TF2103M-TAH
商品编号: C2683770
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3384克(g)

商品参数

商品概述

TF2103M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压工艺使TF2103M的高端在自举操作中可切换至600V。 TF2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。TF2103M具有420ns（典型值）的固定内部死区时间。 TF2103M采用SOIC - 8(N)和PDIP - 8封装，工作温度范围扩展至 - 40℃至 + 125℃。

商品特性

自举操作中浮动高端驱动器可达600V
以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
专为在嘈杂的电机应用中实现增强性能而设计
290mA源电流/600mA灌电流输出能力
输出可耐受负瞬变
420ns的内部死区时间，用于保护MOSFET
宽低端栅极驱动器电源电压：10V至20V
逻辑输入（HIN和LIN*）支持3.3V
施密特触发逻辑输入
Vcc（逻辑和低端电源）欠压锁定
扩展温度范围： - 40℃至 + 125℃

应用领域

电机控制
DC - DC转换器
AC - DC逆变器
电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	290mA
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	35ns
	工作温度	-40℃~+125℃