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TF2304M-TAH
半桥栅极驱动器
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- 描述
- 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
- 品牌名称
- TFSS(德律风根)
- 商品型号
- TF2304M-TAH
- 商品编号
- C2683759
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.456克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpLH | 95ns | |
| 传播延迟 tpHL | 100ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 260uA |
商品概述
TF2304M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压工艺使TF2304M的高端在自举操作中可切换至600V。 TF2304M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器交叉导通。100ns的内部死区时间可保护高压MOSFET免受直通影响。 TF2304M采用8引脚PDIP和SOIC窄体封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。
商品特性
- 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
- 自举操作中的浮动高端驱动器，可达600V
- 290mA源极/600mA漏极输出电流能力
- 输出可耐受负瞬变
- 内部逻辑和死区时间（100ns）保护MOSFET
- 逻辑输入（HIN和LIN）支持3.3V
- 带内部下拉的施密特触发逻辑输入
- 高端和低端驱动器的欠压锁定功能
- 扩展温度范围：-40℃至+124℃
应用领域
- 电机控制
- 交直流逆变器
- 直流-直流转换器
- D类功率放大器