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PJM3400NSC
N沟道,电流:5.8A,耐压:30V
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- 描述
- 特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON)< 45mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON)< 31mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON)< 27mΩ @ VGS = 10V。 高功率和电流处理能力。应用：负载开关和PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM3400NSC
- 商品编号
- C2683749
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041337克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V,漏极电流(ID) = 5.8 A
- 栅源电压(VGS) = 2.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 45 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 31 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 10 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 27 mΩ
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 负载开关和 PWM 应用
- 电源管理