SN75372DR

双 MOSFET 驱动器

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描述: SN75372 具有使能引脚的 10mA/40mA 双路栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: SN75372DR
商品编号: C2677043
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

SN75372是一款双与非门接口电路，设计用于从TTL输入驱动功率MOSFET，可提供高速驱动大容性负载所需的高电流和电压水平。该器件采用VCC1 5V供电，VCC2最高可达24V，规定工作温度范围为0℃至70℃。驱动高容性负载在宽电压范围高频条件下充放电时，器件会产生明显功耗，可通过对应公式计算平均功耗。

商品特性

双电路结构，可高速驱动高容性负载
输出电源电压范围最高可达24V
待机功耗低
VCC1额定电压范围为-0.5V至7V，典型值为5V
VCC2额定电压范围为-0.5V至25V
输入额定电压最高为5.5V
峰值输出额定电流最高为500mA，适用条件为脉宽<10ms，占空比<50%
工作自由空气温度范围为0℃至70℃
存储温度范围为-65℃至150℃
距外壳1.6mm位置的引脚可承受260℃温度达10秒

应用领域

TTL输入场景下的功率MOSFET驱动

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	10mA
	拉电流(IOH)	50uA
	工作电压	4.75V~24V；4.75V~5.25V
	上升时间(tr)	20ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	20ns
	传播延迟 tpLH	40ns
	传播延迟 tpHL	30ns
	工作温度	0℃~+70℃
	输入高电平(VIH)	2V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	500uA
	功能特性	-