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TPS28225TDRQ1
汽车类高频4A灌电流同步MOSFET驱动器
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- 描述
- TPS28225-Q1 具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPS28225TDRQ1
- 商品编号
- C2677049
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 4.5V~8.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 传播延迟 tpHL | 14ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 静态电流(Iq) | 350uA |
商品概述
TPS28225-Q1 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流、单相和多相直流/直流转换器。TPS28225-Q1 是一个提供高效率、小尺寸、低 EMI 发射的解决方案。
商品特性
- 符合汽车应用要求
- 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
- 宽栅极驱动电压：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 时效率最高
- 动力总成系统宽输入电压：3V 至 27V
- 宽输入 PWM 信号：2V 至 13.2V 振幅
- 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
- 高频运行：14ns 传播延迟和 10ns 上升或下降时间
- 支持高达 2MHz 的 FSW
- 能够传播 <30μs 的输入 PWM 脉冲
- 低侧驱动器灌入导通电阻 (0.4Ω) 防止与 dV/dT 相关的击穿电流
- 用于功率级关断的三态 PWM 输入
- 通过同一引脚支持使能（输入）和电源正常（输出）信号来节省空间
- 热关断
- UVLO 保护
- 内部自举二极管
- 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
- 常见三态输入驱动器的高性能替代产品
- 具有高性能特性，例如 8.8V 栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力
- 较低栅极驱动器的 0.4Ω 阻抗保持功率 MOSFET 的栅极低于它的阈值并确保在 dV/dt 相位结点转换中不会产生击穿电压
- 由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET
- 额定工作温度范围为– 40°C 至 105°C ，绝对最大结温为 150°C
应用领域
- 具有模拟或数字控制的多相直流/直流转换器
- 隔离式负载点同步整流
- 无线充电发送器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单