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LM5108DRCT

100V半桥栅极驱动器

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描述: LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM5108DRCT
商品编号: C2677092
商品封装: VSON-10-EP(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

LM5108是一款高频半桥栅极驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。借助此器件，可在基于半桥配置的拓扑（例如同步降压、全桥、有源钳位正激式、LLC和同步升压）中控制两个N沟道MOSFET。此器件具有互锁功能，可以在两个输入都处于高电平时防止两个输出同时处于高电平。此互锁功能可改进电机驱动和电动工具应用中的系统稳健性。使用启用和禁用功能，可以灵活、快速地控制功率级。电池供电的工具也可以使用LM5108的功能来减小待机电流和响应系统故障。输入与电源电压无关，并且可以具有独立的脉宽。这样即可实现极高的控制灵活性。输入和启用功能都具有足够的迟滞，可以在易产生噪声的应用（例如电机驱动器）中改善系统稳健性。低侧和高侧输出在彼此的接通和关断之间实现了低至1ns的匹配。这样即可优化死区时间，进而提高效率。5V UVLO允许驱动器使用更低的偏置电源运行，进而允许功率级以更高的开关频率运行且不会增加开关损耗。VDD和HB UVLO阈值规格设计为使高侧和低侧驱动器通常在5V电压时接通。如果VDD和HBUVLO阈值相同，则设计器需要高于VDD UVLO阈值的偏置电源才能同时接通高侧和低侧驱动器。板载自举二极管无需使用外部分立式二极管，因此提高了布板空间利用率。小型封装支持紧凑型电源设计，例如电动工具。

商品特性

可驱动两个采用高侧/低侧配置的N沟道MOSFET
采用3mm×3mm封装
互锁或跨导保护
启用/禁用功能
HS引脚上的绝对最大负电压处理能力(-5V)
5V典型欠压锁定
20ns典型传播延迟
1000pF负载时的上升时间为11ns，下降时间典型值为8ns
1ns典型延迟匹配
2.6A灌电流，1.6A拉电流输出
绝对最大启动电压为110V
禁用时消耗的电流很低(7μA)
集成式自举二极管

应用领域

电机驱动器和电动工具
开关模式电源
辅助逆变器

优惠活动

购买数量

(250个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个250个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交2单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.6A
	拉电流(IOH)	1.6A

	属性	参数值
	工作电压	5.5V~16V
	上升时间(tr)	11ns
	下降时间(tf)	8ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	280uA