UCC27512MDRSTEP

单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。 提供4A 拉，8A 灌（非对称驱动）峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生、米勒接通效应的能力。 设计用于在4.5V 至18V 的宽VDD 范围和 -55°C 至125°C 的宽温度范围内运行。VDD 引脚上的内部欠压闭锁(UVLO) 电路保持VDD 运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如5V 的低电压电平上，连同同类产品中最佳的开关特性，使得此器件非常适合于驱动诸如氮化镓(GaN) 功率半导体器件等新上市宽带隙电源开关器件。

• 低成本、栅极驱动器器件提供NPN 和PNP 离散解决方案的高品质替代产品
• 4A 峰值拉电流和8A 峰值灌电流非对称驱动
• 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
• 快速传播延迟（典型值13ns）
• 快速上升和下降时间（典型值9ns 和7ns）
• 4.5V 至18V 单一电源范围
• 在VDD 欠压闭锁(UVLO) 期间，输出保持低电平（以保证加电和断电时的无毛刺脉冲运行）
• TTL 和CMOS 兼容输入逻辑阀值（与电源电压无关）
• 用于高抗噪性的滞后逻辑阀值
• 双输入设计（选择一个反相（IN- 引脚）或者同相（IN+ 引脚）驱动器配置）
• 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
• 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
• 输入引脚绝对最大电压电平不受VDD 引脚偏置电源电压的限制
• 6 引脚DRS（带有散热垫的3mm x 3 mm 超薄小外形尺寸(WSON) 封装）封装

• 开关模式电源
• 直流(DC) 到DC 转换器用于数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
• 太阳能、电机控制、不间断电源(UPS) 用于新上市的宽带隙电源器件（例如GaN）的栅极驱动器