L9857-TR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 500mA | |
| 工作电压 | 10V~18V | |
| 上升时间(tr) | 100ns | |
| 下降时间(tf) | 100ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
是高压设备，采用BCD "off-line"技术制造。具有驱动N沟道功率MOS晶体管的能力。上（浮动）部分可在高达450 V的电压轨下工作。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，便于与控制设备接口。
商品特性
- 高压轨高达450 V
- dV/dt抗扰度在全温度范围内为±50 V/nsec
- 驱动电流能力：500 mA源电流，500 mA灌电流
- 带2.5 nF负载时开关时间为100 ns上升/下降
- 带滞后和下拉的CMOS/TTL施密特触发器输入
- 欠压锁定
- VCC钳位
- 非反相输入
- 复位电路
- SO8封装
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