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L6393DTR
半桥栅极驱动器
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- 描述
- 半桥栅极驱动器 是单芯片半桥栅极驱动器，适用于N沟道功率MOSFET或IGBT。 高端（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨。 逻辑输入与CMOS/TTL兼容，低至3.3 V，便于与微控制器/DSP接口。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- L6393DTR
- 商品编号
- C2677096
- 商品封装
- SO-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 430mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 75ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpLH | 125ns | |
| 传播延迟 tpHL | 125ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 600uA |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 通道类型 | 同步 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 290mA，430mA |
| 封装/外壳 | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 14-SO |
| 上升/下降时间（典型值） | 75ns，35ns |
| 电压-供电 | 10V ~ 20V |
| 逻辑电压?-VIL，VIH | 1.1V，1.9V |
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