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UCC27423QDRQ1

带使能端的双路4A高速低端MOSFET驱动器

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描述
UCC2742x-Q1 系列器件为高速双 MOSFET 驱动器,能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供两种标准逻辑选项:双反相驱动器和双同相驱动器。它们采用标准 8 引脚 SOIC (D) 封装
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC27423QDRQ1
商品编号
C2677059
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.108克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压4V~15V
上升时间(tr)20ns
属性参数值
下降时间(tf)15ns
传播延迟 tpLH35ns
传播延迟 tpHL25ns
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)-
输入低电平(VIL)-
静态电流(Iq)900uA
功能特性使能关断;交错导通保护

商品概述

UCC2742x-Q1是带有使能端的双路4A高速低侧MOSFET驱动器,属于高速双路MOSFET驱动器,可向容性负载提供较大的峰值电流,提供双反相驱动器和双同相驱动器两种标准逻辑选项,可采用标准8引脚SOIC封装,热增强型8引脚PowerPAD封装的MSOP封装可大大降低热阻,改善长期可靠性。产品采用可减少击穿电流的设计,能够在MOSFET开关切换期间的米勒平坦区域提供所需的4A电流,独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流,带有使能功能,可更好地控制驱动器的运行,使能引脚内部上拉至VDD电源实现高电平有效逻辑运行,也可保持断开连接状态实现标准运行。

商品特性

  • 符合汽车应用要求,符合AEC-Q100标准
  • 器件温度等级1,环境工作温度范围为-40℃~+125℃
  • 器件HBM ESD分类等级2,器件CDM ESD分类等级C6
  • 采用业界通用引脚排列
  • 每个驱动器配置使能功能
  • 高电流驱动能力可达±4A
  • 独特的双极和CMOS真正驱动输出级,可在MOSFET米勒阈值提供高电流
  • 输入与TTL和CMOS兼容,特性与电源电压无关
  • 驱动1.8nF负载时,上升时间典型值为20ns,下降时间典型值为15ns
  • 输入下降时典型传播延迟为25ns,输入上升时典型传播延迟为35ns
  • 电源电压工作范围为4V~15V
  • 可并联双输出以获得更高的驱动电流
  • 可采用热增强型MSOP PowerPAD封装
  • 额定工作温度范围为-40℃~+125℃

应用领域

  • 开关模式电源
  • 直流/直流转换器
  • 电机控制器
  • 线路驱动器
  • D类开关放大器