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LM5105SDX/NOPB

具备可编程死区时间的100V半桥栅极驱动器

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描述: LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM5105SDX/NOPB
商品编号: C2677073
商品封装: WSON-10-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0625克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	595ns
	传播延迟 tpHL	26ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.8V~2.2V
	输入低电平(VIL)	800mV~1.8V
	静态电流(Iq)	340uA

商品概述

LM5105是一款高压栅极驱动器，专为在同步降压或半桥配置中驱动高端和低端N沟道MOSFET而设计。浮动高端驱动器能够在高达100 V的轨电压下工作。单控制输入与TTL信号电平兼容，通过紧密匹配的导通延迟电路，单个外部电阻可对开关转换死区时间进行编程。提供一个高压二极管，用于对高端栅极驱动自举电容充电。强大的电平转换技术可高速运行，同时功耗较低，并能实现清晰的输出转换。当低端或自举高端电源电压低于工作阈值时，欠压锁定功能会禁用栅极驱动器。LM5105采用热增强型WSON塑料封装。

商品特性

驱动高端和低端N沟道MOSFET
1.8 A峰值栅极驱动电流
自举电源电压范围高达118 V DC
集成自举二极管
单TTL兼容输入
可编程导通延迟（死区时间）
使能输入引脚
快速关断传播延迟（典型值26 ns）
以15 ns的上升和下降时间驱动1000 pF负载
电源轨欠压锁定
低功耗
封装：热增强型10引脚WSON（4 mm×4 mm）

应用领域

固态电机驱动器
半桥和全桥电源转换器

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(4500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个4500个/圆盘

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.6A
	拉电流(IOH)	1.8A
	工作电压	8V~14V
	上升时间(tr)	15ns