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UCC27532QDBVRQ1

2.5A和5A，35V Max VDD场效应晶体管（FET）和绝缘栅双极晶体管(IGBT）单栅极驱动器

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描述: 具有 8V UVLO、35V VDD 和 CMOS 输入的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC27532QDBVRQ1
商品编号: C2677056
商品封装: SOT-23-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.026克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	7ns
	传播延迟 tpLH	17ns
	传播延迟 tpHL	17ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+140℃
	输入高电平(VIH)	8.8V~10V
	输入低电平(VIL)	6.7V~7.9V
	静态电流(Iq)	240uA

商品概述

一款单通道高速栅极驱动器，可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流（非对称驱动）峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力。特有一个分离输出配置，在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器，并且能很轻易地控制开关的转换率。

此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns（典型值）的极小传播延迟。具有CMOS输入阀值，此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时，输入阀值保持在其最大水平上。

此驱动器具有一个EN引脚，此引脚有一个固定的TTL兼容阀值。EN被内部上拉；将EN下拉为低电平禁用驱动器，而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入，其性能与IN引脚一样。

将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。VDD引脚上的内部电路提供一个欠压闭锁功能，此功能在VDD电源电压处于运行范围内之前将输出保持为低电平。采用6引脚标准SOT - 23 (DBV)封装。此器件在 -40°C至140°C的宽运行温度范围内运行。

商品特性

符合汽车应用要求
具有符合AEC - Q100的下列结果：器件温度1级；器件人体模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级H2；器件充电器件模型(CDM) ESD分类等级C4B
低成本栅极驱动器（为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案）
离散晶体管对驱动的出色替代产品（提供与控制器的简便对接）
CMOS兼容输入逻辑阀值（在VDD大于18V是变为固定值）
分离输出可实现独立接通和关闭调整
由固定TTL兼容阀值启用18V VDD时的高2.5A源电流和5A灌峰值驱动电流
从10V到高达35V的宽VDD范围
能够耐受比接地最多低5V的直流电压的输入引脚
当输入悬空或VDD欠压闭锁(UVLO)期间，输出保持低电平
快速传播延迟（典型值17ns）
快速上升和下降时间（1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns）
欠压闭锁(UVLO)
被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏置和信号隔离设计）
低成本
节省空间的6引脚DBV（小外形尺寸晶体管(SOT) - 23）封装
-40°C至140°C的运行温度范围

应用领域

车载
开关模式电源
直流 - 直流转换器
太阳能逆变器、电机控制、不间断电源(UPS)
混合动力车(HEV)和电动车辆(EV)充电器
家用电器
可再生能源功率转换
SiC FET转换器

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交2单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	5A
	拉电流(IOH)	2.5A
	工作电压	10V~32V
	上升时间(tr)	15ns