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LM5113QDPRRQ1

汽车90V半桥GaN驱动器

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描述: LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM5113QDPRRQ1
商品编号: C2677036
商品封装: WSON-10-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	3.5ns
	传播延迟 tpLH	28ns
	传播延迟 tpHL	26.5ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.89V~2.18V
	输入低电平(VIL)	1.48V~1.76V
	静态电流(Iq)	70uA

商品概述

LM5113-Q1是一款高频、适用于同步降压、升压或半桥配置的增强模式氮化镓(GaN) FET的高侧和低侧栅极驱动器。高侧偏置电压采用自举技术生成，并在内部钳位为5.2V，可防止栅极电压超过增强模式GaN FET的最大栅极/源极电压额定值。LM5113-Q1具有分栅输出和强大的灌电流能力，可独立灵活地调节开通和关断强度。LM5113-Q1的工作频率最高可达数MHz，采用带有裸露焊盘的标准10引脚WSON封装，可改善功耗。

商品特性

符合汽车应用标准
具有符合AEC-Q100标准的下列特性
器件温度1级：-40°C至125°C的环境工作温度范围
器件HBM ESD分类等级1C
器件带电器件模型(CDM) ESD分类等级C6
独立的高侧和低侧TTL逻辑输入
1.2A峰值拉电流能力，5A峰值灌电流能力
高侧浮动偏置电压轨工作电压高达100VDC
内部自举电源电压钳位
分离输出实现可调的开通和关断应力
0.6Ω下拉电阻，2.1Ω上拉电阻
快速传播时间（典型值为28ns）
优异的传播延迟（典型值为1.5ns）
电源轨欠压锁定
低功耗

应用领域

移动无线充电器
音频功率放大器
音频电源电流馈入型推挽式转换器
半桥和全桥转换器
同步降压转换器

优惠活动

购买数量

(4500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个4500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交11单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	5A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	7ns