- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PE29100A-X
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 5V | |
| 上升时间(tr) | 2.5ns | |
| 下降时间(tf) | 2.5ns | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
PE29100集成高速驱动器旨在控制外部功率器件（如增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管）的栅极。PE29100的输出能够为高达33 MHz的硬开关应用提供亚纳秒级的开关转换速度。高开关速度可减小外围元件尺寸，并支持如Rezence A4WP无线电力传输等新应用。PE29100采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。
商品特性
- 高端和低端场效应晶体管驱动器
- 死区时间控制
- 快速传播延迟，8 ns
- 三态使能模式
- 亚纳秒级上升和下降时间
- 2A/4A峰值源/灌电流
- 封装 – 倒装芯片