BQ2201SN-NTR

BQ2201SN NTR

描述: BQ2201 用于 1 个 SRAM 组的 SRAM 非易失性控制器 IC
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: BQ2201SN-NTR
商品编号: C2653354
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

bq2201是一款CMOS SRAM非易失性控制器单元，可提供将标准CMOS SRAM转换为非易失性读写存储器所需的全部功能。器件内置精密比较器，可监测5V VCC输入是否出现超出容差的状况，检测到异常状况时，会将经过调理的片选输出强制置为无效，对标准CMOS SRAM进行写保护。发生电源故障时，外部SRAM会从VCC电源切换到3V备用电源，后续上电时，SRAM会保持写保护状态直到电源满足有效条件。该器件引脚布局和时序兼容通用标准。

商品特性

为3伏电池备用应用提供电源监测与切换功能
具备写保护控制功能
提供2路3伏原电池输入
片选传播延迟小于10ns
支持5或10容差的电源供电运行
可通过阈值选择引脚THS选择掉电检测阈值，5供电模式下典型掉电检测电压为4.62V，10供电模式下典型掉电检测电压为4.37V
掉电检测时若存储器访问正在进行，会等待存储周期完成后再进行写保护，若存储周期未在规定时间内终止则会无条件写保护存储器
两个备用电池输入可自动切换，当第一路备用电池电压高于2.5V时仅由第一路供电，低于2.5V时自动切换到第二路供电
上电后电源满足掉电检测阈值后，会保持片选输出无效最长120ms，用于处理器稳定
电源有效运行时，片选输入传输到输出的传播延迟小于10ns
具备电池隔离功能，无有效数据需要保存时可切断备用电池连接，防止电池耗电

应用领域

带电池备份的SRAM存储应用
需要非易失性读写存储的场景

	属性	参数值
	商品目录	存储器控制器
	存储器控制器类型	-
	工作电压	-
	工作温度	-

	属性	参数值
	通道数	-
	工作电流	-
	电池电流	-
	功能特性	电源监控