DS1312S-2+T&R
非易失控制器,带有锂电池监测器
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- 商品型号
- DS1312S-2+T&R
- 商品编号
- C2653357
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 存储器控制器 | |
| 存储器控制器类型 | SRAM |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.75V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
DS1312 非易失性控制器带有电池监控功能,是一种CMOS电路,解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。输入电源被监测是否有超出容差的情况。当检测到这种情况时,芯片使能被抑制以实现写保护,并切换到电池供电,为RAM提供不间断电源。特殊的电路采用了低泄漏的CMOS工艺,可以在极低的电池消耗下实现精确的电压检测。
除了支持电池备份外,DS1312还执行一个重要功能,即监控锂电池的剩余容量,并在电池达到寿命终点前提供警告。由于锂备份电池在其大部分使用寿命内开路电压保持相对恒定,因此准确的电池监控需要测量负载下的电池电压。DS1312通过定期比较电池支持内部电阻负载时的电压与精心选择的参考电压来进行这种测量。如果在这种条件下电池电压低于参考电压,则表明电池即将达到寿命终点。结果,电池警告引脚被激活,以信号提示需要更换电池。
商品特性
- 将CMOS SRAM转换为非易失性存储器
- 当VCC超出容限时,无条件写保护SRAM
- 当VCC电源故障发生时,自动切换到电池备份电源
- 监测锂离子电池电压,并在电池即将失效前提供预警
- 在低电池状态时通过活动低电平的电池警告输出信号进行提示
- 可选5%或10%掉电检测
- 节省空间的8引脚DIP和SOIC封装
- 可选16引脚SOIC和20引脚TSSOP版本在电源故障发生时复位处理器,并在系统上电期间保持处理器处于复位状态
- 工业温度范围:-40°C至+85°C
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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