BQ2204ASNTR

X4 SRAM非易失性控制器单元bq2204A采用CMOS工艺，可提供全部所需功能，将最多4组标准CMOS SRAM转换为非易失性读写存储器。

• 为3V电池备份应用提供电源监控与切换功能
• 具备写保护控制功能
• 配备2输入译码器，可控制最多4组SRAM
• 支持3V一次电池输入
• 芯片使能传输延迟小于10ns
• 支持5或10容差供电运行
• 内置精密比较器，可监控5V VCC输入是否超出容差
• 检测到输入超出容差时，会强制4路调理后的芯片使能输出无效，对最多4组SRAM进行写保护
• 电源故障时，将外部SRAM的供电从VCC切换至两路3V备用电源中的一路，上电后SRAM保持写保护直到电源达到有效状态
• 电源有效工作时，双输入译码器可透明选择最多4组SRAM中的一组
• 电源故障检测阈值可通过阈值选择引脚THS配置，THS接VSS时，5容差供电下典型故障检测电压为4.62V；THS接VCC时，10容差供电下典型故障检测电压为4.37V；THS必须接VSS或VCC才能保证器件正常工作
• 电源故障检测时，若存储器访问正在进行，会等待当前存储周期完成后再执行写保护；若存储周期未在规定时间tWPT内终止，所有4路芯片使能输出会无条件置高，对受控SRAM进行写保护
• 供电下降至故障检测阈值后，内部开关器件将VOUT切换至两个外部备用能源中的一路，CE_CON1至CE_CON4输出由备用能源保持置高
• 上电过程中，当VCC上升至高于备份电池输入电压后，VOUT切换回5V供电；电源达到故障检测阈值后，CE_CON1至CE_CON4输出保持无效最长120ms，以供处理器完成稳定
• 电源有效工作时，CE输入会传输至4路CE_CON输出中的一路，传输延迟小于10ns，输出选择由译码输入A、B的电平决定
• A、B输入通常连接高地址引脚，可使用低密度存储器件构建大容量非易失性存储器
• 提供两路备用能源输入BC1、BC2，可接入3V一次锂电池，未使用的输入需接VSS
• 可自动选择电压更高的备用电池供电，支持依次单块更换电池，可高效利用两块备用电池
• 具备电池隔离功能，满足对应条件时会内部隔离VOUT和CE_CON输出与备用电池的连接，防止无有效数据需要保存时电池耗电

• 用于将标准CMOS SRAM转换为带电池备份的非易失性读写存储器
• 适用于需要电池备份供电的存储应用场景