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HAZ1143-04F

单向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A

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描述: 这款静电和浪涌保护器具备4A电流处理能力，在3.3V电压下运作，适合敏感电子设备的防护需求。其0.6pF的典型结电容确保了信号线路的高速传输特性不受影响。采用四通道设计且为单向导通模式，该组件能够有效地保护各种消费电子产品中的数据接口免受静电放电及电压突变的危害。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HAZ1143-04F
商品编号: C25503740
商品封装: DFN2510-10L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0225克(g)

商品参数

商品概述

HAZ1143 - 04F是一款4通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间的阵列中集成了一个齐纳二极管。在典型应用中，负轨引脚（指定为GND）与系统接地相连。正ESD电流通过ESD二极管和齐纳二极管导向接地，正ESD电压被钳位到齐纳电压。封装为DFN2510 - 10L。

商品特性

4通道ESD保护
提供符合IEC61000 - 4 - 2 4级的ESD保护
±15kV空气放电
±10kV接触放电
通道I/O到GND电容：最大0.55pF
通道I/O到I/O电容：最大0.6pF
低钳位电压
低工作电压
改进的齐纳结构
为高速数据线PCB布局优化的封装
符合RoHS标准且无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	20V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	峰值脉冲功率(Ppp)	70W@8/20us
	击穿电压(VBR)	5.6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	四路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.4pF；0.6pF