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MXD8625C
MXD8625C-3G/4G应用的单刀双掷射频开关
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- 描述
- MXD8625C是一款单刀双掷（SPDT）射频开关，适用于3G/4G应用。它具有宽带频率范围（0.1到3GHz）、低插入损耗（0.35dB@2.7GHz）和高隔离度（28dBupto2.7GHz）。无需外部直流阻断电容器，采用6引脚QFN封装，尺寸为1.1mmx0.7mmx0.45mm。
- 品牌名称
- Maxscend(卓胜微)
- 商品型号
- MXD8625C
- 商品编号
- C285546
- 商品封装
- QFN-6(0.7x1.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 100MHz~3GHz | |
| 隔离度 | 28dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.35dB | |
| P1dB | 36dBm | |
| 工作电压 | 2.5V~3V | |
| 工作温度 | -30℃~+85℃ |
商品概述
MXD8625C是一款单刀双掷（SPDT）的LTE/WCDMA/GSM收发开关。开关由集成的GPIO接口通过单控制引脚进行控制。 只要任何射频路径上未施加直流电压，就无需外部直流隔直电容。 MXD8625C采用紧凑的1.1mm x 0.7mm×0.45mm 6引脚QFN封装，满足电路板级组装要求。
商品特性
- 宽带频率范围：0.1至3 GHz
- 低插入损耗：在2.7 GHz时为0.35 dB
- 高隔离度：在高达2.7 GHz时为28 dB
- P0.1dB为36 dBm
- 无需外部直流隔直电容
- 带VDD电压调节器的单GPIO控制线：
- VCTL = 1.6至3.00 V
- VDD = 2.5至3.00 V
- 小型6引脚QFN封装，引脚间距400 um（1.1mm x 0.7mm×0.45mm）
应用领域
- GSM/WCDMA/LTE收发