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MXD8546F
0.4~3.8GHzX-DPDT射频开关
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- 描述
- MXD8546F是一个CMOS、绝缘体上硅（SOI）双刀双掷（DPDT）开关，提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。
- 品牌名称
- Maxscend(卓胜微)
- 商品型号
- MXD8546F
- 商品编号
- C285564
- 商品封装
- QFN-12-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 双刀双掷 | |
| 频率 | 400MHz~3.8GHz | |
| 隔离度 | 31dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.55dB | |
| P1dB | 38dBm | |
| 工作电压 | 1.8V~3.3V | |
| 工作温度 | -30℃~+85℃ |
商品概述
MXD8546F是一款采用绝缘体上硅（SOI）技术的CMOS双刀双掷（DPDT）开关。该开关具有高线性度、低插入损耗和高隔离度的特点。 开关由一个控制电压V1控制。根据施加到该引脚的逻辑电压电平，RF1和RF2引脚通过低插入损耗路径连接到另外两个RF端口引脚（RF3或RF4）之一，同时与备用端口保持高隔离路径。只要外部不施加直流电压，RF路径上就不需要外部隔直电容。 MXD8546F DPDT开关采用紧凑的2 x 2 mm四方扁平无引脚（QFN）封装。
商品特性
- 单控制电压输入
- 宽带频率范围：0.4至3.8 GHz
- 低插入损耗：在2.7 GHz时为0.45 dB
- P0.1dB为38 dBm
- 无需隔直电容
- 正控制电压范围：1.8至3.3 V
- 小型QFN（12引脚，2 x 2 mm）封装
应用领域
- 语音和LTE同步系统
- 分集天线切换