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2DB1188R-13
中功率晶体管 PNP 电流:2A 电压:32V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -32V。 IC = -2A，高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -800mV @ -2A。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，环保器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2DB1188R-13
- 商品编号
- C285345
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 180@0.5A,3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 800mV@2A,0.2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> -32 V
- 集电极电流（IC）= -2 A，高连续电流
- 低饱和电压，集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）< -800 mV（@ -2A）
- 互补 NPN 型：2DD1766
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
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- SSL1306T-151M-N
- SSL0804T-221M-N
- SSL0503HC-1R0M-N
- SSL0402T-221M-N
- SSL0402T-101M-N
- SQC453226T-220K-N
- SQC322520T-470K-N
- SQC322520T-220K-N
- SQC322517T-4R7M-N
- SLF0745T-3R3M-N