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CMS60H20M
60V N沟道SGT低压MOSFET
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- 描述
- 60V PDFN5*6封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMS60H20M
- 商品编号
- C22446517
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.161491克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.56nF |
商品特性
- SGT低压MOSFET技术
- 低栅极电荷
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 计算领域的电源管理
- DC-DC和AC-DC（同步整流）的电流开关
- 负载开关