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CMS026H10T
100V N沟道SGT
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- 描述
- 100V Toll封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMS026H10T
- 商品编号
- C22446533
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.132075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 271W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.26nF |
商品特性
- SGT低压MOSFET技术
- 出色的Qg*Ron乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻（Ron）
应用领域
- 电机驱动与控制
- 大电流开关
- 不间断电源（UPS）