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CMW65R041DFD
N沟道 耐压:650V 电流:70A
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- 描述
- 这几个撤回，不推了
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMW65R041DFD
- 商品编号
- C22446536
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 176nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
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