温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMW60R110DFD
600V超结MOS，N沟道硅MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这几个撤回，不推了
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMW60R110DFD
- 商品编号
- C22446538
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
DFN1006-3L 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。 N 沟道增强型场效应晶体管，采用 DFN1006-3L 塑料封装。
商品特性
- 超快速体二极管
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.101Ω(典型值)
- 易于驱动
- 无铅电镀、无卤模塑化合物,符合 RoHS 要求
应用领域
- 适用于软开关升压 PFC 开关、半桥(HB)、有源半桥(AHB)或 LLC 半桥和全桥拓扑。
- 如移相桥(ZVS)、LLC 应用——服务器电源、电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器。
其他推荐
- CM04AM50ST
- 326-1BK02-0AB0
- SCBYS06X74580ELRK
- SCBYS08X00000ELRK
- SCBYS12X00000YNRK
- SCBXS14X31818YSRK
- SCBXS14X31818ELRI
- SCBYS20X00000ELRK
- SCBYS24X00000YNRG
- SCBYS25X00000ELRK
- SCBXS27X00000ELRF
- SCBXS27X00000ELRK
- SF503 DC12-24V
- LS-ZTLED-28150-28600
- 50*70CM KT
- LC1-D186BL
- 285*285mm
- TR-ON/3 7-11A
- SC-0 220v
- CMPI0415-2R2M
- CMPI0420-R22M