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CMW60R030DFD
N沟道 耐压:600V 电流:80A
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- 描述
- 这几个撤回，不推了
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMW60R030DFD
- 商品编号
- C22446535
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品特性
- 超快速体二极管
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.026Ω(典型值)
- 易于驱动
- 无铅电镀、无卤模塑料,符合RoHS要求
应用领域
- 适用于软开关升压PFC开关、半桥(HB)、有源半桥(AHB)或LLC半桥及全桥拓扑。
- 例如移相桥(ZVS)、LLC应用的服务器电源、电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器。