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CMS60H22P
60V N沟道SGT
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- 描述
- 60V TO220封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMS60H22P
- 商品编号
- C22446520
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.542955克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 104pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.73nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关、电子保险丝开关
- DC/DC中的电流开关
- 计算领域的电源管理