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CMS038H10G
100V N沟道SGT
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- 描述
- 100V TO263封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMS038H10G
- 商品编号
- C22446530
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.19375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.792nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.502nF |
商品特性
-先进SGT技术-出色的Qg*Ron乘积(品质因数)-极低的导通电阻(Ron)
应用领域
-电池管理-大电流开关应用-电源管理
- CMS028H10G
- CMS030H10P
- CMS026H10T
- CMW60R030DFD
- CMW65R041DFD
- CMW60R070DFD
- CMW60R110DFD
- CM04AM50ST
- 326-1BK02-0AB0
- SCBYS06X74580ELRK
- SCBYS08X00000ELRK
- SCBYS12X00000YNRK
- SCBXS14X31818YSRK
- SCBXS14X31818ELRI
- SCBYS20X00000ELRK
- SCBYS24X00000YNRG
- SCBYS25X00000ELRK
- SCBXS27X00000ELRF
- SCBXS27X00000ELRK
- SF503 DC12-24V
- LS-ZTLED-28150-28600