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CMSH10H12G
100V N沟道SGT
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- 描述
- 100V TO263封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMSH10H12G
- 商品编号
- C22446529
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.809524克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.178nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.332nF |
商品特性
- SGT低压MOSFET技术
- 出色的Qg*Ron乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻(Ron)
应用领域
- 电机驱动与控制
- 大电流开关
- 不间断电源(UPS)