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CMS050H09U
95V N沟道SGT
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- 描述
- 95V TO252封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMS050H09U
- 商品编号
- C22446522
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.492克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 95V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 138W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.051nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 597pF |
商品特性
-SGT低压MOSFET技术-出色的Qg*Ron乘积(品质因数)-极低的导通电阻(Ron)
应用领域
-电机驱动与控制-大电流开关-不间断电源(UPS)