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CMS60H33T
60V N沟道SGT
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- 描述
- 60V Toll封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMS60H33T
- 商品编号
- C22446519
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.981308克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.107nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.888nF |
商品特性
- 先进的SGT技术
- 出色的Qg*Ron乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻(Ron)
应用领域
- 电池管理
- 大电流开关应用
- 电源管理