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FDS6986AS
双路笔记本电源供电N沟道MOSFET,电流:7.9A,耐压:30V
- 描述
- 可为笔记本电脑和其他电池供电电子设备提供各种外围电压。FDS6986AS 包含两个不同的 30V，N 沟道，逻辑电平，PowerTrench MOSFET，用于最大程度提高电源转换能效。该高压侧开关 (Q1) 设计时特别强调了降低开关损耗，而低压侧开关(Q2) 也经过了优化可降低导电损耗。Q2 还包括了一个使用安森美半导体单片 SyncFET 技术的集成式肖基特二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6986AS
- 商品编号
- C241815
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个2500个/圆盘
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