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FDS6986AS
双路笔记本电源供电N沟道MOSFET,电流:7.9A,耐压:30V
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- 描述
- 可为笔记本电脑和其他电池供电电子设备提供各种外围电压。FDS6986AS 包含两个不同的 30V，N 沟道，逻辑电平，PowerTrench MOSFET，用于最大程度提高电源转换能效。该高压侧开关 (Q1) 设计时特别强调了降低开关损耗，而低压侧开关(Q2) 也经过了优化可降低导电损耗。Q2 还包括了一个使用安森美半导体单片 SyncFET 技术的集成式肖基特二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6986AS
- 商品编号
- C241815
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDS6986AS旨在替代同步DC:DC电源中的两个单SO - 8 MOSFET和肖特基二极管，这些电源为笔记本电脑和其他电池供电的电子设备提供各种外设电压。FDS6986AS包含两个独特的30V、N沟道、逻辑电平PowerTrench MOSFET，旨在最大限度地提高电源转换效率。 高端开关（Q1）特别着重于降低开关损耗，而低端开关（Q2）则针对降低传导损耗进行了优化。Q2还采用单片SyncFET技术集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- Q2:针对最小化传导损耗进行优化,包括SyncFET肖特基体二极管
- 7.9A、30V,VGS = 10V时,RDS(on) = 20mΩ
- VGS = 4.5V时,RDS(on) = 28mΩ
- Q1:针对低开关损耗进行优化,栅极电荷低(典型值为10nC)
- 6.5A、30V,VGS = 10V时,RDS(on) = 29mΩ
- VGS = 4.5V时,RDS(on) = 38mΩ
- SO - 8