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FDS6680AS
30V N沟道 MOSFET,电流:11.5A,耐压:30V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6680AS
- 商品编号
- C241811
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDS6680AS旨在取代同步DC-DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高电源转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDS6680AS采用仙童半导体的单片同步场效应晶体管（SyncFET）技术，集成了一个肖特基二极管。在同步整流器中，FDS6680AS作为低端开关的性能与FDS6680与肖特基二极管并联时的性能无异。
商品特性
- 11.5 A、30 V，VGS = 10 V时，RDS(ON)最大值为10.0 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON)最大值为12.5 mΩ
- 集成同步场效应晶体管（SyncFET）肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值为22 nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)和快速开关
- 高功率和高电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 低端笔记本电脑