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CMD11N50
半导体*晶体管*场效应管 停产
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- 描述
- MOS管，TO-252，N沟道，耐压：500V，电流：11A，10V内阻：750mΩ，功率：130W，CISS(Typ)：1450PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD11N50
- 商品编号
- C22391053
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
20P09采用先进的工艺技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- 不间断电源
- 开关模式电源