M95P32-IXMGT/E

超低功耗32Mbit串行SPI页面EEPROM，支持双路和四路输出

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描述: 采用先进的专有NVM技术制造，提供字节灵活性、页面可更改性、高页面循环性能和超低功耗，相当于EEPROM技术。是一款32 Mbit的SPI页面EEPROM，由8192个可编程页面组成，每个页面512字节，通过具有高性能双SPI和四SPI输出的SPI总线访问。提供两个额外的512字节页面：第一个包含识别数据和唯一标识符（UID），第二个可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。额外的状态、配置和易失性寄存器设置所需的设备配置，安全寄存器提供设备状态信息
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95P32-IXMGT/E
商品编号: C22386972
商品封装: DFN-8(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.177667克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	1.6V~3.6V
	工作温度	-40℃~+105℃；-40℃~+85℃
	工作电流	1.5mA
	待机电流	16uA
	读取访问时间(tA)	-

商品概述

M95P32-I和M95P32-E采用先进的专有NVM技术制造，具备字节级灵活性、页面可更改性、高页面循环性能以及相当于EEPROM技术的超低功耗。该器件为32兆位SPI页面EEPROM，组织为8192个可编程页面，每个页面512字节，通过支持高性能双路和四路SPI输出的SPI总线访问。器件提供两个额外的512字节识别页面：第一个包含识别数据，并可应请求包含标识符；第二个可用于存储敏感的应用程序参数，之后可永久锁定为只读模式。额外的状态、配置和易失性寄存器用于设置所需的器件配置，而安全寄存器则提供器件状态信息。M95P32-I的工作电压范围为1.6 V至3.6 V，环境温度范围为-40 °C至+85 °C。M95P32-E提供扩展的温度范围，从-40 °C至+105 °C。器件支持高达80 MHz的时钟频率。M95P32-I和M95P32-E提供最大512字节的字节和页面写入指令。写入指令包含自定时的自动擦除和编程操作，从而实现灵活的数据字节管理。器件还接受页面、块、扇区和芯片擦除命令，以将存储器设置为擦除状态。随后，存储器可以通过512字节页面进行快速编程，并可进一步使用带缓冲区加载的页面编程指令来优化，以隐藏SPI通信延迟。

商品特性

支持串行外设接口(SPI)及双路/四路输出
时钟频率高达80 MHz
双路输出数据传输速率高达160 Mbits/s
四路输出数据传输速率高达320 Mbits/s
32兆位页面EEPROM存储器
64千字节块，4千字节扇区
页面大小：512字节
两个额外的512字节识别页面
宽电压范围：VCC从1.6 V至3.6 V
工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级），-40 °C至+105 °C（扩展级）
写入耐久性：在整个温度范围内为500千次循环
数据保持：100年，500千次循环后为10年
深度掉电模式下典型功耗为0.6 μA
待机模式下典型功耗为16 μA
10 MHz下单路读取典型功耗为800 μA
页面写入典型功耗为1.5 mA
峰值电流控制 < 3 mA
快速写入、编程和擦除时间：字节和页面写入（512字节，包含自动擦除和编程）典型值为2 ms，页面编程（512字节）典型值为1.2 ms，页面擦除典型值为1.1 ms，扇区擦除典型值为1.3 ms，块擦除典型值为4 ms，芯片擦除典型值为15 ms
带缓冲区加载的页面编程
用于高存储器可靠性的ECC（DEC，TED）
施密特触发器输入用于噪声滤波
可编程输出缓冲器强度
用于ISO26262的运行状态标志
软件复位
按块进行写保护，支持顶部/底部选项
可应请求提供ID
电子识别
支持SFDP（串行闪存可发现参数）模式
JEDEC标准制造商识别
封装：DFN8、SO8N和WLCSP8（符合ECOPACK2标准）
未切割晶圆
ESD保护：人体模型2000 V

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	32Mbit
	时钟频率(fc)	80MHz
	写周期时间(Tw)	2ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	50万次