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WPM2083-3/TR
单通道P沟道,电流:-2.4A,耐压:-20V
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM2083-3/TR
- 商品编号
- C239559
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 486pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
WPM2083是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM2083为无铅、无卤产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装SOT-23
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关