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MMQA33VT1G
单向ESD 25V截止
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- 描述
- 这款四通道单片硅电压抑制器专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其四结共阳极设计仅用一个封装就能保护四条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMQA33VT1G
- 商品编号
- C233405
- 商品封装
- SC-74
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 25V | |
| 钳位电压 | 48.6V | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W@20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 33V | |
| 反向电流(Ir) | 75nA | |
| 通道数 | 四路 | |
| 类型 | ESD |
商品概述
这款四路单片硅电压抑制器专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。其四路结共阳极设计仅用一个封装即可保护四条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
商品特性
- SC-74 封装，支持四种独立的单向配置
- 峰值功率 - 按图 5 波形，单向 1.0 ms 时最小 24 W
- 峰值功率 - 按图 6 波形，单向约 20 μs 时最小 150 W
- 峰值脉冲电流下的最大钳位电压
- 低泄漏电流 < 2.0 μA
- 按人体模型，静电放电等级为 3B 级（超过 16 kV）
- 汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用采用 SZ 前缀；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 计算机接口保护
- 微处理器保护