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STGW28IH125DF
采用沟槽栅场截止结构的IGBT，适用于谐振和软开关应用
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- 描述
- 1250 V、25 A IH系列沟槽栅场截止IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW28IH125DF
- 商品编号
- C222113
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.25kV | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC | |
| 输入电容(Cies) | 2.035nF | |
| 输出电容(Coes) | 139pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 52pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 128ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 720uJ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些IGBT采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发，在导通损耗和开关损耗方面均优化了性能。共封装了一个低正向压降的续流二极管。其结果是一款专为任何谐振和软开关应用最大化效率而设计的产品。
商品特性
- 仅为软换相设计
- 最高结温：T_J=175℃
- 最小化尾电流
- V_CE(sat)=2.0V（典型值）@I_C=25A
- 参数分布紧密
- 可安全并联
- 低V_F软恢复共封装二极管
- 低热阻
- 无铅封装
应用领域
- 感应加热
- 微波炉
- 谐振转换器