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MAQ4124YME-VAO实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MAQ4124YME-VAO

MAQ4124YME-VAO

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商品型号
MAQ4124YME-VAO
商品编号
C220171
商品封装
SOIC-8-EP​
包装方式
管装
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)3A
属性参数值
拉电流(IOH)3A
工作电压4.5V~20V
上升时间(tr)11ns
下降时间(tf)11ns
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)

商品概述

MAQ4123/MAQ4124/MAQ4125 是一系列双路 3A 缓冲器/MOSFET 驱动器,用于驱动功率 MOSFET、IGBT 及其他需要低阻抗、高峰值电流和快速开关时间的重载(电容性、电阻性或电感性)负载。它们有反相、同相和互补三种配置。 MAQ4123/MAQ4124/MAQ4125 的工作电源电压范围为 4.5V 至 20V,输出电阻为 2.3Ω,可吸收或提供 3A 的峰值电流,能在 10ns 内切换 1800pF 的电容性负载,典型传播延迟时间为 50ns。 MAQ4123/MAQ4124/MAQ4125 的输入与 TTL 或 CMOS 兼容,具有 400mV 的迟滞以提供抗噪能力。输入可承受 5V 的负电压摆幅,并具备闩锁保护,可承受 200mA 的反向电流。 MAQ4123/MAQ4124/MAQ4125 的工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃,已通过 AEC-Q100 汽车应用认证,采用 ePad SOIC-8 封装,以改善汽车应用所需的功率耗散和热性能。

商品特性

  • 通过汽车 AEC-Q100 认证
  • 高 ±3A 峰值输出电流
  • 宽 4.5V 至 20V 电源电压范围
  • 低 2.3Ω 输出电阻
  • 匹配的上升和下降时间
  • 带 1800pF 电容性负载时,快速 10ns 上升/下降时间
  • 低传播延迟时间 50ns(典型值)
  • TTL/CMOS 逻辑输入,与电源电压无关
  • 闩锁保护,可承受 200mA 反向电流
  • 逻辑输入可承受 -5V 摆幅
  • 低等效 6pF 输入电容
  • 输出电压在接地或 VS 的 25mV 范围内摆动
  • 逻辑 1 输入时,低电源电流 2.0mA(全温度范围最大值),逻辑 0 输入时,300μA(全温度范围最大值)
  • 反相、同相和差分配置
  • -40℃ 至 +125℃ 温度范围
  • 外露背面焊盘(ePad)封装,改善功率耗散

数据手册PDF